بهبود خواص فیزیکی لایه های نازک تلورید کادمیم ایجاد شده با استفاده از تکنیک لایه نشانی به کمک پرتو الکترونی جهت کاربرد فوتوولتایی |
Paper ID : 1272-ICESE |
Authors: |
محمد جواد اشراقی *1, نیما نادری2, سحر طیب طاهر2, ثریا برنای زنوزی2 1مشکین دشت، بلوار امام خمینی، پژوهشگاه مواد و انرژی، پژوهشکده نیمه هادی ها 2پژوهشگاه مواد و انرژی |
Abstract: |
لایه های نازک تلوراید کادمیم به ضخامت 2.8 میکرون و با نیمرسانایی نوع p به روش تبخیر در خلا با کنترل پارامترهای لایه نشانی مانند جریان پرتو الکترونی، نرخ لایه نشانی، و دمای زیرلایه ایجاد شدند. لایه های ایجاد شده جهت بهبود ویژگی های بلوری تحت عملیات شیمایی حرارتی با کلرید قلع قرار گرفتند. ویژگی های ساختاری، مورفولوژی و نوری لایه های ساخته شده با استفاده از پراش اشعه ایکس (XRD)، و عکسبرداری توسط میکروسکوپ الکترونی، میکروسکوپ نیروی اتمی و طیف جذبی و عبوری در ناحیه مریی و فرابنفش مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. نتایج تحلیل های ساختاری توسط پراش پرتوهای ایکس حاکی است که استفاده از کلرید قلع در عملیات شیمیایی لایه های نازک تلورید کادمیم، منجر به رشد بلورک ها می گردد که پدیده ای مطلوب در لایه های نازک مورد نیاز جهت مصارف فوتوولتاییک می باشد. در نهایت سلول خورشیدی لایه نازک بس بلور تلوراید کادمیم با بازدهی %0.5، ولتاژ مدار باز 200 میلی ولت، چگالی جریان مدار بسته 100 میکرو ولت بر سانتیمتر مربع و ضریب پری 50% در پیکربندی سوپراستریت با لایه نشانی لایه نازک اکسید ایندیم قلع به روش کندوپاش به عنوان الکترود شفاف، لایه نازک پنجره ای سولفید کادمیم، لایه نازک جاذب تلوراید کادمیم و لایه نازک مولیبدن به عنوان الکترود پشتی به روش تبخیر در خلا ساخته شد. |
Keywords: |
CdTe, Absorber Layer, Thin Film, Solar Cell, Electron Beam Evaporation |
Status : Paper Accepted |